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MOSFET de transistores.
   
 
List
03N06 .. 2N6789
2N6789-SM .. 2SJ272
2SJ273 .. 2SK1192
2SK1198 .. 2SK1748
2SK1748-Z .. 2SK2365-Z
2SK2366 .. 2SK2926-ZJ
2SK2926L .. 2SK3433-ZJ
2SK3434 .. 2SK4075-ZK
2SK4075B-ZK .. 30N06
30P10A .. 8N90
90N02 .. AOC2413
AOC2414 .. AON6588
AON6594 .. AOW418
AOW480 .. AP30T10GI-HF
AP30T10GK-HF .. AP90T03GI
AP90T03GJ .. APM3095PU
APM4008NG .. APT5010JVRU2
APT5010JVRU3 .. AUIRFS4310Z
AUIRFS4321 .. BLF7G20LS-140P
BLF7G20LS-200 .. BSP225
BSP230 .. BUK764R0-75C
BUK764R3-40B .. CEB14N5
CEB14P20 .. CES2302
CES2303 .. CS5N65_A3
CS5N65_A4 .. EMH1303
EMH1307 .. FDD3N40
FDD3N50NZ .. FDMS8090
FDMS8320L .. FDS8926A
FDS8928A .. FQP9N90C
FQP9P25 .. FSS234R
FSS23A4D .. H12N65F
H2301N .. HFP45N06
HFP4N60 .. IPB200N15N3G
IPB200N25N3G .. IPP062NE7N3G
IPP065N03LG .. IRF3305
IRF3315 .. IRF7424
IRF7425 .. IRFE120
IRFE130 .. IRFPC60LC
IRFPE30 .. IRFU024N
IRFU025 .. IRLML2803
IRLML5103 .. IXFH42N20
IXFH42N50P2 .. IXFR20N120P
IXFR20N80P .. IXTA36N30P
IXTA36P15P .. IXTP14N60P
IXTP14N60PM .. IXTZ550N055T2
IXTZ67N10MA .. KP739V
KP740A .. MTB30N06VL
MTB30P06J3 .. MTP3LP01N3
MTP3LP01S3 .. NTHD3100C
NTHD3101F .. P1350AT
P1350ATF .. PHD97NQ03LT
PHD9NQ20T .. PSMN5R8-30LL
PSMN5R8-40YS .. RJK0381DPA
RJK0389DPA .. SCH1343
SCH1430 .. SI2302
SI2302A .. SM3313NSQG
SM3313PSQG .. SMK1625D2
SMK1625F .. SPD07N60C3
SPD07N60S5 .. SSF6401
SSF6646 .. SSM3K7002F
SSM3K7002FU .. STB30NF10
STB30NF20 .. STF24NM60N
STF24NM65N .. STP11NK40Z
STP11NK40ZFP .. STQ2HNK60ZR-AP
STQ2NK60ZR-AP .. STW32N55M5
STW32N65M5 .. TPC8034-H
TPC8035-H .. UT3409
UT3414 .. ZXMC3AMC
ZXMC3F31DN8 .. ZXMS6006SG
 
Transistores datasheet. Principales parámetros y características
 



Introduzca un número de fabricación total o parcial con un mínimo de 3 letras o números

SSD30N06-39D transistores MOSFET datasheet. Parámetros y características.

Nombre del transistor: SSD30N06-39D

PDF las descripciones de búsqueda de SSD30N06-39D

Estructura del transistor: MOSFET

Tipo de control de canal: N

Potencia máxima disipación de flujo constante (Pd) del transistor, W: 50

tensión de ruptura drenaje-fuente (Uds), V: 60

Umbral de tensión compuerta-fuente (Ugs), V: 20

La puerta de la corriente máxima del transistor (Id), A: 19

Temperatura máxima (Tj), C: 175

Tiempo de subida (tr), nS: 8

Capacidad de flujo (Cd), pF:

Escurra-fuente de resistencia en el estado ON (Rds), Ohm: 0.038

Caso: TO252

analógico y un reemplazo para el SSD30N06-39D

Véase también la hoja de datos de transistores MOSFET: SSD30N10-50D , SSD30N10-70D , SSD408 , SSD40N03 , SSD40N04-20D , SSD40N10-30D , SSD40P04-20D , SSD40P04-20DE , SSD45N03 , SSD50N06-15D , SSD50P03-09D , SSD70N03-04D , SSD95N03 , SSD9973 , SSE90N04-03P , SSF1320N , SSF1331P , SSG4228 , SSG4407P , SSG4436N , SSG4492N , SSG4505 , SSG4512CE , SSG4639STM , SSG4835P , SSG4842N , SSG4920N , SSG4935P , SSG4990N , SSG9575 , SSM9971 , SSP7150N , SSP7421P , SSP7431P , SSP7438N , SSPS7334N , SSRF4N60 , SST2605 , SSPS924NE , STT3463P , STT3471P , STT3922N , STT6405 , SGM0410 , 2N60D , 2SK3019T , 4N60D , WTC2302 , WTC2305DS , WTC9435 , WTD9435 , WTK9431 , CEA6200 , CEB02N65A , CEB02N6A , CEB03N8 , CEB07N65 , CEB07N7 , CEF04N7G , CEP01N65 , CEP02N7G , CEP05N65

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