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MOSFET de transistores.
   
 
List
03N06 .. 2N6789
2N6789-SM .. 2SJ268
2SJ272 .. 2SK1304
2SK1305 .. 2SK2036
2SK2037 .. 2SK2782
2SK2788 .. 2SK3471
2SK3472 .. 2SK758
2SK771 .. 5LP01S
5LP01SP .. AOB12N60FD
AOB12T60P .. AON6782
AON6788 .. AP02N60H-H
AP02N60I .. AP40T10GI-HF
AP40T10GP-HF .. AP9430GH-HF
AP9430GYT-HF .. APM4474K
APM4476K .. APT50M65JLL
APT50M75B2FLL .. AUIRLI2505
AUIRLL014N .. BLL6H1214LS-250
BLM6G10-30 .. BSS315P
BSS316N .. BUK9215-55A
BUK92150-55A .. CEC8218
CED01N65 .. CEU16N10
CEU16N10L .. CS7N60_A7HD
CS7N60_A8HD .. FCD600N60Z
FCD620N60ZF .. FDD8444
FDD8444L_F085 .. FDN306P
FDN308P .. FDY2000PZ
FDY3000NZ .. FQPF9N50CF
FQPF9N90C .. FTK12N65DD
FTK12N65F .. H5N5012P
H5N5015P .. HUF75339S3
HUF75339S3S .. IPD06N03LA
IPD075N03LG .. IPP65R280C6
IPP65R280E6 .. IRF540Z
IRF540ZL .. IRF7853
IRF7854 .. IRFI4410Z
IRFI4410ZG .. IRFR9024NC
IRFR9110 .. IRFW634A
IRFW640A .. IRLU130A
IRLU210A .. IXFK26N60Q
IXFK26N90 .. IXFT42N50P2
IXFT44N50P .. IXTH12N45MA
IXTH12N45MB .. IXTP70N085T
IXTP75N10P .. KF4N20LW
KF4N65F .. KU048N03D
KU054N03D .. MTE010N10FP
MTE040N20P3 .. NDB6060L
NDB608A .. NTP5864N
NTP6410AN .. P3204HV
P3304EV .. PK618BA
PK626BA .. R6020FNX
R6025ANZ .. RJK4518DPK
RJK5003DPD .. SDF320JAA
SDF320JAB .. SIF2N65C
SIF2N65D .. SM4838NSK
SM4839NSK .. SML40M80AFN
SML40W44 .. SSD12P10
SSD15N10 .. SSG4392N
SSG4394N .. SSM6P41FE
SSM6P47NU .. STD15N06LT4
STD15N06T4 .. STH7NA60FI
STH7NA80 .. STP2N62K3
STP2N80 .. STT3463P
STT3470N .. TK07H90A
TK09H90A .. TPCA8040-H
TPCA8042 .. VHM40-06P1
VKM40-06P1 .. ZXMS6006SG
 
Transistores datasheet. Principales parámetros y características
 



Introduzca un número de fabricación total o parcial con un mínimo de 3 letras o números

IRF1010ZL transistores MOSFET datasheet. Parámetros y características.

Nombre del transistor: IRF1010ZL

PDF las descripciones de búsqueda de IRF1010ZL

Estructura del transistor: MOSFET

Tipo de control de canal: N

Potencia máxima disipación de flujo constante (Pd) del transistor, W: 140

tensión de ruptura drenaje-fuente (Uds), V: 55

Umbral de tensión compuerta-fuente (Ugs), V: 20

La puerta de la corriente máxima del transistor (Id), A: 94

Temperatura máxima (Tj), C:

Tiempo de subida (tr), nS:

Capacidad de flujo (Cd), pF:

Escurra-fuente de resistencia en el estado ON (Rds), Ohm: 0.0075

Caso: TO262

analógico y un reemplazo para el IRF1010ZL

Véase también la hoja de datos de transistores MOSFET: IRF1010ZS , IRF1018E , IRF1018ES , IRF1018ESL , IRF1104L , IRF1104S , IRF1324 , IRF1324L , IRF1324S , IRF1324S-7P , IRF1404L , IRF1404Z , IRF1405 , IRF1405S , IRF1405ZS , IRF1503S , IRF1902 , IRF2804S , IRF2807ZL , IRF2903ZS , IRF3007L , IRF3515L , IRF3703 , IRF3707ZCL , IRF3708 , IRF3709 , IRF3709ZS , IRF3710ZS , IRF3805 , IRF4104S , IRF5801 , IRF6201 , IRF640N , IRF640NS , IRF6608 , IRF6623 , IRF6631 , IRF6638 , IRF6643 , IRF6678 , IRF6706S2 , IRF6713S , IRF6720S2 , IRF6724M , IRF6775M , IRF6810S , IRF6894M , IRF7455 , IRF7457 , IRF7468 , IRF7470 , IRF7607 , IRF7807A , IRF7807VD1 , IRF7807Z , IRF7821 , IRF7853 , IRF7855 , IRF8306M , IRF8714G , IRFB23N15D , IRFB3006G

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